Samsung смогла создать первую 900-слойную флэш-память V-NAND

На сегодняшний день SK hynix продвинулась дальше всех в случае создания микросхем флэш-памяти 3D NAND, предлагая решения с 321 слоем, однако для того, чтобы идти дальше и предлагать более ёмкостные твердотельные накопители, необходимо вмещать ещё больше слоёв, что довольно проблематично, но, похоже, возможно.

Немного ранее сегодня мы рассматривали официальные данные о том, что Samsung разрабатывает новый тип памяти, ориентированный на хранение огромного количества данных, хоть и за счёт низкой выносливости микросхем, а теперь китайское издание ETNews вновь затрагивает южнокорейского гиганта, так как у источника появились сведения о большом прорыве.

Если верить ресурсу, сегодня работяги компании смогли создать флэш-память с 900 слоями. Для этого им пришлось объединить две отдельные микросхемы с 450 слоями каждая и «склеить» их при помощи технологии Cell Multi-Bonding (CMB). Другая важная проблема заключалась в искривлении слоёв, но и её удалось решить путём внедрения конструкции Upper Chuck Design (UCD) с Overlay Correction.

Пока что новая память от Samsung с 900 слоями находится на стадии прототипа, поэтому никто не знает, на что она способна и когда она будет выпущена. Эти сведения будут появляться только по мере продвижения разработки.

Источник