Архив рубрики ~Лента новостей~
SK hynix раскрывает планы по созданию HBM, GDDR, LPDDR и NAND следующих поколений
Следующие два года будут интересны запуском стеков памяти HBM4 с 16 слоями, HBM4E с 8/12/16 слоями, а также заказной HBM4E, подразумевающей изменение строения памяти и вычислительного кристалла ускорителя с целью увеличения площади вычислительного блока графического процессора, для чего некоторые компоненты будут перенесены…
Читать