SK hynix раскрывает планы по созданию HBM, GDDR, LPDDR и NAND следующих поколений
SK AI Summit 2025 позволил узнать много нового о том, что южнокорейская компания SK hynix собирается разрабатывать и производить в относительно недалёком будущем. В рамках мероприятия была продемонстрирована дорожная карта, затрагивающая промежутки с 2026 по 2028 год, а также с 2029 по 2031 год.
Следующие два года будут интересны запуском стеков памяти HBM4 с 16 слоями, HBM4E с 8/12/16 слоями, а также заказной HBM4E, подразумевающей изменение строения памяти и вычислительного кристалла ускорителя с целью увеличения площади вычислительного блока графического процессора, для чего некоторые компоненты будут перенесены на базовый кристалл в самой HBM.
В случае памяти LPDDR можно ожидать появления LPDDR6, LPDDR5X для модулей в форм-факторе SOCAMM2, модули MRDIMM второго поколения и LPDDR5R. Не забыла компания и про специализированные микросхемы для искусственного интеллекта, предлагая LPDDR6-PIM. Если необходимо затронуть NAND, то в следующие два года компания обещает разработать eSSD на основе микросхем QLC объёмом более 245 Тбайт и показать накопители на основе интерфейса PCI Express 6.0.
Что касается промежутка между 2029 и 2031 годом, то это время будет использовано для запуска HBM5, HBM5E, GDDR7 следующего поколения, DDR6 и нового поколения 3D DRAM. LPDDR6 перекочует в SOCAMM2 и будет дополнена AI-D, а третье поколение CXL сможет похвастаться работой с памятью PIM следующего поколения. Микросхемы NAND, в свою очередь, будут работать с интерфейсом PCI Express 7.0 и включать более 400 слоёв памяти 4D NAND.