Samsung перейдет на техпроцесс 1d DRAM как минимум в конце 2027 года

Samsung занимается разработкой не только нового поколения памяти HBM4E, но и новой технологической нормы для производства микросхем DRAM в целом, а текущим процессом поделился южнокорейский ресурс ZDNet, у которого получилось разузнать парочку подробностей.

На данный момент Samsung применяет для создания DRAM техпроцесс 1c, полагающийся на 11–12 нм и горизонтальное расположение транзисторов, в то время как 1d перейдет на 10–11 нм и вертикальные транзисторы. Но для совершения столь серьёзного перехода необходимо закончить разработку, и на данный момент компания якобы занимается созданием оборудования, способного работать с новой нормой производства, вместе с неназванными партнёрами.

Если все пойдет по плану, то внедрение оборудования ожидается примерно во втором квартале 2027 года, а массовое производство начнется не раньше конца следующего года. Больше подробностей о сроках ожидается в конце этого года.

«Samsung активно проводит исследования и разработки совместно с ключевыми партнёрами для стабилизации выхода годной продукции и объёма производства 1d DRAM. Хотя график может измениться, цель состоит в том, чтобы выпустить оборудование для массового производства во втором или третьем квартале следующего года».

Источник