HBM4e от Samsung будет работать со скоростью не менее 13 Гбит/с

В рамках проходящего OCP Global Summit 2025 представители компании Samsung рассказали о своих планах относительно улучшенной версии стеков памяти HBM4, которые будут выпущены в ближайшие годы и носить наименование HBM4e.

Согласно южнокорейскому производителю памяти, следующее поколение HBM будет ориентировано на скорость передачи данных не менее 13 Гбит/с на контакт, благодаря чему пропускная способность будет увеличена до 3.25 Тбайт/с в случае одного стека, при этом энергопотребление будет снижено до 1.95 ПДж/бит, то есть вдвое меньше, чем у HBM3e.

К слову, дела у Samsung начали стремительно налаживаться. Недавно она поделилась финансовым отчётом за третий квартал 2025 года и подтвердила рост операционной прибыли, которая должна была составить примерно 10 триллионов корейских вон, а на деле составила 12.1 триллиона вон. Почти половину этой суммы принесло полупроводниковое подразделение, разработавшее примерно 5 триллионов вон, что более чем в 10 раз больше прибыли за второй квартал.

Источник