Samsung показала стеки памяти HBM4E с пропускной способностью до 4 Тбайт/с
Пока Micron хвастается полным обеспечением платформы NVIDIA Vera Rubin в плане поставок памяти, её южнокорейский конкурент в лице Samsung не стоит на месте. Он посетил конференцию GTC 2026, на которую приехал далеко не с пустыми руками.
Компания рассказала о том, что она тоже полностью оснащает своего ключевого партнёра лучшими решениями в отрасли. Например, она предлагает ему стеки HBM4 со скоростью работы 11.7 Гбит/с, которые можно раскочегарить до 13 Гбит/с. Затем она перешла к модулям SOCAMM2 на базе микросхем LPDDR5x собственного производства, а закончила твердотельным накопителем PM1763 на базе интерфейса PCI Express 6.0.
Но больше всего Samsung акцентировала внимание на предстоящем стандарте HBM4E, ведь он предлагает 16 слоёв памяти объёмом 48 Гбайт с повышенной до 16 Гбит/с скоростью передачи данных, благодаря чему он получит пропускную способность до 4 Тбайт/с на стек. Таким образом, от платформы Rubin Ultra можно ожидать до 384 Гбайт HBM4E с ПСП на уровне 64 Тбайт/с, что прилично больше простой Rubin, где есть «всего» 288 Гбайт HBM4 с ПСП 22 Тбайта/с.
Оцените материал:
