TSMC начала массовое производство по передовому 2-нм техпроцессу
Предпоследний день 2025 года стал очень важным для тайваньского полупроводникового гиганта в лице TSMC, который постарался крайне тихо сообщить пользователям о начале массового производства полупроводниковой продукции с применением передовой 2-нм технологической нормы.
Она отличается от прошлых норм как минимум новыми транзисторами GAAFET, улучшающими электростатический контроль, уменьшает утечки тока и положительно сказывается на характеристиках. Компания говорит про 10-15% повышение производительности, 25-30% повышение энергоэффективности и 15% повышение плотности размещения транзисторов по сравнению с первой реализацией N3E.
Производство по передовой технологической норме началось на линии Fab 22 недалеко от Гаосюна, Тайвань, при этом позже производство должно начаться и на Fab 20, расположенной в Синьчжу, Тайвань. Таким образом, сразу две фабрики будут работать над современной продукцией, причём потом они смогут перейти и на N2P с улучшенными характеристиками, и на A16 с подачей питания с обратной стороны.
Что касается эффективности внедрения, за первый год заказы с применением N2 обгонят N5 в два раза, а за второй год показатели будут отличаться уже в четыре раза.