12-слойная HBM4 от Micron обеспечивает пропускную способность 2.8 Тбайта/с
После публикации финансового отчёта за четвёртый квартал и весь 2025 год генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) пообщался с представителями финансовой отрасли и дал несколько интересных комментариев относительно текущих и будущих дел.
Во-первых, он подтвердил первые поставки 12-слойных стеков памяти HBM4 ключевым партнёрам, таким как NVIDIA. В отличие от стандарта JEDEC, подразумевающего скорость передачи данных 8 Гбит/с на контакт, HBM нового поколения от Micron предлагает скорость 11 Гбит/с, что повышает пропускную способность до 2.8 Тбайта/с или на приличные 40%. Сделано это было по требованию производителей ускорителей, которым требуется всё более быстрая память по мере выпуска новых решений для работы с ИИ.
Во-вторых, он подтвердил работу над микросхемами видеопамяти GDDR7 со скоростью работы более 40 Гбит/с, хотя на данный момент лучшие решения предлагают не более 32 Гбит/с. Столь значительный рост обеспечит пропускную способность более 1.5 Тбайта/с при лучшей энергоэффективности в отрасли, однако даже примерные сроки выхода такой памяти на рынок не были указаны.
Можно также затронуть HBM4E. В отличие от HBM4, базовая матрица памяти следующего поколения будет производиться усилиями TSMC, в то время как сейчас Micron предпочитает создавать память полностью своими силами. Её запуск ожидается в 2027 году.
Оцените материал:
