Samsung успешно разрабатывает память GDDR7 со скоростью 40 Гбит/с и объёмом 3 Гбайта
Производители микросхем памяти не очень хотят работать над расширением производства DDR5, зато не против разрабатывать новые версии GDDR последнего поколения. Насколько стало известно от корейских источников, Samsung получила престижную награду за текущую разработку новой GDDR7.
Согласно Korea Times, компания успешно ведёт разработку GDDR7 с увеличенной до 40 Гбит/с скоростью работы и с увеличенным до 24 Гбит или 3 Гбайт объёмом. Это подтверждается признанием президента, полученным в рамках мероприятия Корейского технологического фестиваля 2025 в Сеуле, Южная Корея.
«Память GDDR7 от Samsung Electronics получила признание президента в среду, поскольку её технологическая конкурентоспособность продолжает привлекать внимание отрасли на фоне роста спроса на методы искусственного интеллекта. На Корейском технологическом фестивале 2025 года в Сеуле, организованном Министерством торговли, промышленности и ресурсов, правительство удостоило президентской чести первую в мире Samsung GDDR7 на основе 12-нанометрового техпроцесса, достигающую скорости 40 гигабит в секунду и получившую объём 24 гигабита».