Samsung может перевести часть мощностей для HBM3E в пользу обычной памяти DRAM
Среди большого количества неприятных новостей о нарастающем дефиците микросхем памяти DRAM и NAND приятно видеть хотя бы малейший намёк на возможное улучшение сложившейся ситуации. Новый слух исходит от корейского издания Dealsite, утверждающего о возможном увеличении производства памяти.
Если верить источнику, Samsung постепенно переходит к производству HBM4, из-за чего начала процесс преобразования производственных мощностей, перенеся около 30-40% для создания простой памяти DRAM. Один из ключевых аргументов заключается в более высокой марже: якобы с продажи первого типа памяти маржа составляет 30%, а второго – более привлекательные 60%.
Из-за этого компания якобы хочет преобразовать некоторую часть мощностей HBM3E в пользу DRAM с применением 10-нм техпроцесса 1b, предназначенного для памяти общего назначения по типу DDR5, LPDDR5X, GDDR7 и предстоящей LPDDR6. В краткосрочной перспективе простая DRAM будет куда выгоднее в производстве, нежели дешевеющие стеки HBM3E на фоне скорого запуска ускорителей с HBM4.