SK Hynix: первая память 256 ГБ RDIMM DDR5, сертифицированная для работы с Intel Xeon 6

SK hynix, южнокорейский производитель микросхем DRAM и модулей оперативной памяти в частности, объявил об очередном достижении, связанном с его передовой памятью. Дело в том, что на днях самым современным модулям компании удалось первыми в мире пройти сертификацию для работы с серверными процессорами Intel Xeon 6.

Речь идёт о 256-гигабайтной памяти RDIMM DDR5, созданной по передовому технологическому процессу 10-нм класса 1β (1-beta). Для получения такого объёма модуль оснащается 32-гигабитными микросхемами DRAM пятого поколения, предлагающими 18% экономию электроэнергии и на 16% более высокую производительность логического вывода.

«Это достижение представляет собой кульминацию совместных инженерных усилий Intel и SK hynix и демонстрирует нашу общую приверженность развитию технологии памяти. Высокопроизводительный модуль отвечает растущим требованиям, предъявляемым к нагрузкам приложений искусственного интеллекта, требующих больших мощностей, позволяя нашим заказчикам выйти на новый уровень производительности в своих центрах обработки данных», — Димитриос Зиакас (Dimitrios Ziakas), вице-президент по архитектуре платформ Intel Data Center Group.

Источник