Если простые пользователи жалуются на неадекватное повышение стоимости модулей оперативной памяти, то сами производители микросхем занимаются более приятными для себя вещами, а именно разработкой HBM следующего поколения, причём делают это весьма успешно.
Отраслевые источники сообщают, что Samsung закончила разработку HBM4, получив одобрение готовности к производству. Таким образом, компания полностью готова производить новое поколение памяти для ускорителей высокопроизводительных вычислений. Старт массового производства состоится именно в тот момент, когда NVIDIA подпишет контракт на память для своей платформы следующего поколения Vera Rubin.
Samsung разработала свои стеки HBM4 специально для нужд NVIDIA, повысив скорость передачи данных на контакт до 11 Гбит/с, что несколько больше отраслевого стандарта, принятого комитетом JEDEC. Новая память полагается на базовый слой с применением 4-нм технологической нормы для снижения энергопотребления и повышения производительности, а сами слои памяти изготавливаются по передовой норме 1c DRAM.
