Сегодня Samsung радует нас не только сведениями относительно нового поколения матрицы QD-OLED для премиальных мониторов, предлагающей существенное улучшение характеристик, но и тем фактом, что её литейное подразделение приступило к полноценному массовому производству стеков памяти HBM4.
Новое поколение HBM4 давно нашло применение в ускорителях высокопроизводительных вычислений от таких гигантов, как AMD и NVIDIA. Ради второго партнёра южнокорейскому производителю пришлось улучшать характеристики, затрагивающие как скорость работы на контакт, которая была увеличена с 8 Гбит/с по стандарту JEDEC до 11.7 Гбит/с с завода и даже 13 Гбит/с при определённой настройке, так и улучшенный отвод тепла.
Память изготавливается с применением двух технологических норм: 4-нм в случае базовой логической матрицы и 1c DRAM в случае слоёв памяти. Вторая описывается как 10-нм решение шестого поколения. Если необходимо провести сравнение с HBM3E, то производитель говорит о двукратном увеличении количества контактов, 40% улучшении энергоэффективности, 30% уменьшении тепловыделения и 10% улучшении теплового сопротивления.
Пока что HBM4 поставляется только избранным партнёрам. По итогам этого года Samsung надеется втрое увеличить производство по сравнению с 2025 годом. Также говорится про отбор проб следующего поколения HBM4E во второй половине этого года, а первые образцы будут поступать партнёрам в 2027 году.
