Для создания полупроводников используется кремний, возможности которого практически достигли предела. Каждый раз при переходе на более современную технологическую норму можно наблюдать всё меньше и меньше улучшений, в связи с чем производители задумались об ином методе повышения характеристик.
Один из методов подразумевает оптимизацию проектирования и интеграции процессов (DTCO), который предполагает дополнительную работу над уже разработанными технологическими нормами, чтобы выжать из них максимум возможностей, повышая производительность, снижая потребление и увеличивая плотность размещения транзисторов.
Вице-президент литейного подразделения Samsung подтвердил, что всё большее количество производителей рассматривают этот метод для ключевого улучшения полупроводников: если в случае 7-нм техпроцесса DTCO даёт примерно 10% общего улучшения, то при нормах 3 нм и менее результат будет достигать более приличных 50%, в то время как переход на новую норму даёт лишь 10-15%.
Помимо этого метода, работяги Samsung, да и других компаний в том числе, вовсю используют искусственный интеллект для более грамотного расположения транзисторов и отдельных блоков в микросхемах, положительно влияя как на характеристики финального продукта, так и на распределение тепла на кристалле.
