Производители памяти DRAM акцентировали свои мощности на производстве HBM для ускорителей, необходимых для рынка искусственного интеллекта. Это приносит им куда больше прибыли, нежели производство других типов памяти по типу DDR, GDDR и LPDDR, но создаёт нарастающий дефицит с дальнейшим повышением цен на те же модули оперативной памяти и видеокарты.
Если у Samsung всё же есть план относительно наращивания производства DRAM, то её конкурент в лице Micron всё ещё предпочитает работать только над куда более дорогой HBM, о чём сообщает Nikkei Asia. Для этого компания планирует инвестировать $9.6 млрд в строительство новой производственной линии в Хиросиме, Япония, ориентированной на память следующего поколения. Дополнительные средства также могут быть выделены правительством страны.
Начало строительства линии назначено на следующий год, в то время как массовое производство ожидается в 2028 году. К слову, на существующей фабрике в Японии Micron уже производит передовую память LPDDR5x с применением технологического процесса 1γ (1-Gamma), подразумевающего интеграцию слоёв с EUV-литографией.
