Недавно представители Marvell поделились прогрессом в разработке заказной памяти SRAM для процессоров, которая уже сейчас демонстрирует слишком хорошие показатели.
При создании процессоров приличный бюджет площади тратится на SRAM, или встроенную память, находящуюся непосредственно в кристалле. Она очень быстрая, но малого объёма. Обычно при разработке новой технологической нормы получается уменьшить размер транзисторов в случае логики, отвечающей за сами вычисления, в то время как SRAM продолжает оставаться очень большой.
У Marvell получается не только уменьшить площадь встроенной памяти, но и прилично улучшить её характеристики по сравнению с конкурентами. Компания заявила на Marvell Analyst Day 2025, что её разработка предлагает 80% снижение энергопотребления, 37% снижение занимаемой площади и 22% повышение производительности в виде сокращения времени цикла.
Помимо этого, компания хвастается использованием 2-нм технологического процесса, который позволил повысить пропускную способность на каждый квадратный миллиметр памяти в 17 раз, если сравнивать с HBM4E, которой ещё не существует, и лучшей SRAM, присутствующей сейчас на рынке. Также решения от Marvell демонстрируют 50% меньшую площадь и потребляют на 66% меньше энергии в простое.
