Новости про оперативную память и микросхемы DRAM для её создания появляются практически каждый день, что не особо должно удивлять, ведь на дворе её дефицит и многие стараются нажиться на этом. Удивительно, но бывшие сотрудники Samsung тоже хотели нажиться на памяти, вот только они не обманывали других людей, а просто украли технологии для её создания.
Южнокорейское издание The Elec сообщает, что «Отдел расследования преступлений в области информационных технологий прокуратуры Центрального округа Сеула арестовал нынешнего директора китайской компании Changshin Memory Technology (CXMT) за нарушение правил страны в соответствии с Законом о защите промышленных технологий». Утверждается, что работяга ушёл из корейской Samsung в китайскую CXMT, а заодно прихватил с собой информацию о создании микросхем DRAM с применением передового 10-нм техпроцесса, похвастаться которым до сих пор могут не все ключевые производители.
«CXMT, первая и единственная в Китае компания по производству полупроводниковых устройств DRAM, в которую местное правительство Китая инвестировало 2.6 триллиона вон, мошенническим путём использовала лучшую в мире отечественную технологию производства полупроводниковых чипов на протяжении всего процесса разработки», — южнокорейские прокуроры.
